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RDM

或者半固化環(huán)氧玻璃布與銅箔層壓的積層難以達到精細線路?，F(xiàn)在趨于采用半加成法(SAP)或改進型半加工法(MSAP)，即采用絕緣介質(zhì)膜積層，再化學(xué)鍍銅形成銅導(dǎo)體層，因銅層極薄容易形成精細線路。半加成法技術(shù)重點之一是積層介質(zhì)材料，為符合高密度細線路要求對積層材料提出介質(zhì)電氣性、絕緣性、耐熱性、

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特別是非線性負載的干擾，RDM

三個基本工作條件。
1.供電
由電源電路輸出的5V電壓送到CPU供電端，為CPU內(nèi)部電路供電。大部分CPU能夠在4.5～5.3V供電區(qū)間正常工作。
2.復(fù)位
CPU的復(fù)位方式有低電平復(fù)位和高電平復(fù)位兩種。采用低電平復(fù)位方式的復(fù)位端有0V→5V的復(fù)位信

其抑制方法主要有兩種一是從非線性負載本身入手，為了減少干擾，應(yīng)保證炭刷本身的質(zhì)量和換向器的光潔度，同時還要保護炭刷對換向器有適當(dāng)?shù)膲毫?，最后還要使機座的固定可靠，避免機械運轉(zhuǎn)時引起的運轉(zhuǎn)不穩(wěn)。2、防止傳導(dǎo)干擾為了防止控制板電路產(chǎn)生的傳導(dǎo)干擾，

即按照系統(tǒng)功能要求配置外圍設(shè)備，如鍵盤、顯示器、打印機、A/D、D/A轉(zhuǎn)換器等，要設(shè)計合適的接口電路。系統(tǒng)的擴展和配置應(yīng)遵循以下原則RDM

儲器都集成在CPU內(nèi)部。而彩電、彩顯功能較多，所以需要采用容量大的存儲器，所以它們的存儲器幾乎都是單獨設(shè)置的。
和彩電的系統(tǒng)控制電路一樣，小家電的系統(tǒng)控制電路若想正常工作，也必須滿足供電、復(fù)位信號和時鐘信號正常的

：（1）盡可能選擇典型電路，并符合單片機常規(guī)用法。為硬件系統(tǒng)的標準化、模塊化打下良好的基礎(chǔ)。（2）系統(tǒng)擴展與外圍設(shè)備的配置水平應(yīng)充分滿足應(yīng)用系